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TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
簡要描述：TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是我公司吸收國內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn)，精心設(shè)計(jì)研制而成的一款能全自動測試介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（Cx）的智能化儀器。*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場合準(zhǔn)確測量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。
訪問次數(shù)：4481
所屬分類：（異頻）全自動介質(zhì)損耗測試儀
更新時(shí)間：2024-01-30
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
| 品牌 | 端懿電氣 |
|---|
TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是我公司吸收國內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn)，精心設(shè)計(jì)研制而成的一款能全自動測試介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（Cx）的智能化儀器。TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場合準(zhǔn)確測量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。本抗干擾介質(zhì)損耗測試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設(shè)備及絕緣材料的介質(zhì)損耗及電容量的測試，用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。
產(chǎn)品特性：
(1) 反干擾源：儀器先測量干擾電流的幅值和相位，然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)幅值相等、相位相反的反干擾信號來抵消干擾電流，從而有效消除現(xiàn)場干擾對測試數(shù)據(jù)的影響。實(shí)踐使用證明，該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。
(2) 整體屏蔽：采用雙層整體屏蔽機(jī)箱，能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜，可直接引至試品，測試安全方便，并有效消除了對地雜散電容的影響。
(3) 使用方便：可自由選擇輸出高壓，啟動后全自動升壓測試。采用中文菜單操作，測量電容值、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù)，換紙更加方便。
(4) 技術(shù)：全數(shù)字化，內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型。
(5) 精度高：具有較高的分辨率和精度，測試結(jié)果重復(fù)性好，配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后，可測量絕緣油的介質(zhì)損耗因素。
(6) 通訊接口：留有“通訊接口”，其中包括RS232計(jì)算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理；和“JTAG在線編程接口”，可由筆記本電腦對儀器進(jìn)行現(xiàn)場在線編程，可對儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級處理；使用時(shí)，必須配用接線座和軟件，本儀器不提供此配件。
(7) 數(shù)據(jù)記錄：儀器能記錄100組測試數(shù)據(jù)，以測試日期、時(shí)間的形式存儲，日后可調(diào)用查看或打印，有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺帳的建立。
(8) 攜帶方便：采用一體化結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)合理，體積只有同類產(chǎn)品的1/2～2/3，攜帶十分方便。
技術(shù)參數(shù)：
| 使用電源 | 本儀器使用220（1±10%）V，50（1±2%）Hz電源 | |||||||||||||||||
| 使用環(huán)境 | 環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對濕度：≤80% | |||||||||||||||||
| 外形尺寸 | 長400mm*寬330mm*高395mm | |||||||||||||||||
| 質(zhì)量 | 20Kg | |||||||||||||||||
| 測試工作方式 | 正接法 反接法 抗干擾正接法 抗干擾反接法 | |||||||||||||||||
| 輸出功率 | 內(nèi)部高壓zui大容量：1.5KVA | |||||||||||||||||
| 輸出zui大電流：150mA | ||||||||||||||||||
| 安全性能 | 絕緣電阻：電源對地≥2MΩ，高壓輸出對地≥50MΩ | |||||||||||||||||
| 交流耐壓：電源對地1500v耐壓1min，高壓輸出對地15KV耐壓1min，無飛弧和擊穿 | ||||||||||||||||||
| 抗干擾性能 | | 干擾 / | 試品 ＜2，磁場干擾＜5高斯下滿足測試精度要求。 | |||||||||||||||||
| 電容測量范圍 | 10KV： 0～40000pF | |||||||||||||||||
| ＜5KV: 0～0.1μF | ||||||||||||||||||
| 電容zui小分辨率 | 0.001pF | |||||||||||||||||
| 電容精度 | 正接 ±（2%讀數(shù)+2pF） | |||||||||||||||||
| 反接 ±（2%讀數(shù)+10pF） | ||||||||||||||||||
| 電壓輸出 | 范圍：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV | |||||||||||||||||
| 失真度：＜2%THD（10KV下線性負(fù)載） | ||||||||||||||||||
| 精度：±（1%讀數(shù)+10V） | ||||||||||||||||||
| 介損測量范圍 | 0～50% | |||||||||||||||||
| 介損測量精度 |
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